SK hynix тестирует 4D NAND память

SK hynix начала массовое производство 238-слойной флэш-памяти 4D NAND. В настоящее время проводится тестирование на совместимость с производителями смартфонов. После завершения тестов на совместимость, SK hynix начнет поставлять 238-слойную NAND для смартфонов и расширит линейку продуктов, таких как твердотельные накопители PCIe 5.0 и твердотельные накопители для серверов большой ёмкости.

238-слойная NAND память имеет на 34% более высокую производственную эффективность по сравнению с предыдущим поколением 176-слойного. Кроме того, скорость передачи данных 2,4 Гбит/с на 50 % больше, чем у предыдущего поколения.