Выходят новые накопители GOODRAM IRDM M.2 с интерфейсом PCIe 3×4 и DRAM буфером

GOODRAM представил новый накопитель NVME SSD с интерфейсом PCIe 3×4 и DRAM буфером – GOODRAM IRDM M.2. Наличие DRAM буфера обеспечивает более высокую стабильность работы под нагрузкой. Это значит, что пользователь избежит обычных проблем, имеющихся у безбуферных SSD. Скорость чтения GOODRAM IRDM M.2 составляет 3200 МБ/сек при использовании с интерфейсом PCIe 3×4. Это является достойной производительностью для поколения 3.0, что позволяет использовать IRDM M.2, как альтернативу более быстрым, но в то же время и более дорогим SSD с интерфейсом PCIe 4.0. Накопители GOODRAM IRDM M.2 базируются на памяти TLC 3D NAND Flash и работают под управлением 8-канального контроллера Phison E12с. Выпускаются накопители в объёмах 256ГБ, 512ГБ, 1ТБ и 2ТБ. На GOODRAM IRDM M.2 распространяется 5-и летняя гарантия.