Следующее поколение смартфонов Samsung получит 1 ТБ встроенной памяти
Samsung начинает массовое производство встроенного модуля флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) емкостью 1 ТБ, предназначенного для использования в мобильных устройствах следующего поколения. Спустя всего четыре года после выхода своего первого UFS-решения, eUFS емкостью 128 ГБ, Samsung преодолела терабайтный порог объема памяти смартфона.
